DMJ70H1D3SJ3

DMJ70H1D3SJ3 - Diodes Incorporated

Número de pieza
DMJ70H1D3SJ3
Fabricante
Diodes Incorporated
Breve descripción
MOSFET N-CH TO251
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
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9937 pcs
Precio de referencia
USD 0.9339/pcs
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DMJ70H1D3SJ3 Descripción detallada

Número de pieza DMJ70H1D3SJ3
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 700V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4.6A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 13.9nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 351pF @ 50V
Vgs (Max) -
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-251
Paquete / caja TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso -
País de origen -

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