| Numéro d'article | DMJ70H1D4SV3 |
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| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 700V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 5A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 342pF @ 50V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 78W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | TO-251 |
| Paquet / cas | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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DMJ70H1D0SV3 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251 | Détails |
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DMJ70H1D3SH3 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251 | Détails |
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DMJ70H1D3SI3 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251 | Détails |
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DMJ70H1D3SJ3 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH TO251 | Détails |
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DMJ70H1D4SV3 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251 | Détails |
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DMJ70H1D5SV3 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251 | Détails |
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DMJ70H600SH3 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251 | Détails |
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DMJ70H601SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252 | Détails |
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DMJ70H601SV3 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251 | Détails |
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DMJ70H900HJ3 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251 | Détails |
