| 부품 번호 | DMJ70H1D4SV3 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 700V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 5A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 7.5nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±30V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 342pF @ 50V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 78W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole |
| 공급 업체 장치 패키지 | TO-251 |
| 패키지 / 케이스 | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
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DMJ70H1D0SV3 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251 | 세부 |
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DMJ70H1D3SH3 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251 | 세부 |
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DMJ70H1D3SI3 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251 | 세부 |
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DMJ70H1D3SJ3 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH TO251 | 세부 |
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DMJ70H1D4SV3 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251 | 세부 |
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DMJ70H1D5SV3 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251 | 세부 |
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DMJ70H600SH3 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251 | 세부 |
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DMJ70H601SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252 | 세부 |
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DMJ70H601SV3 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251 | 세부 |
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DMJ70H900HJ3 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251 | 세부 |
