| Artikelnummer | VS-GBPC2506W |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Single Phase |
| Technologie | Standard |
| Spannung - Spitzenrücklauf (Max) | 600V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 25A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 12.5A |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | 4-Square, GBPC-W |
| Lieferantengerätepaket | GBPC-W |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
VS-GA100NA60UP | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 100A 250W SOT-227 | Einzelheiten |
|
VS-GA100TS120UPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 182A 520W INT-A-PAK | Einzelheiten |
|
VS-GA100TS60SF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 220A 780W | Einzelheiten |
|
VS-GA100TS60SFPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 220A 780W INT-A-PAK | Einzelheiten |
|
VS-GA200HS60S1 | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 480A 830W | Einzelheiten |
|
VS-GA200HS60S1PBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 480A 830W INT-A-PAK | Einzelheiten |
|
VS-GA200SA60SP | Vishay Semiconductor Diodes Division | MODULE IGBT SOT-227 | Einzelheiten |
|
VS-GA200SA60UP | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 200A 500W SOT-227 | Einzelheiten |
|
VS-GA200TH60S | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 260A 1042W INT-A-PAK | Einzelheiten |
 |
VS-GA250SA60S | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 400A SOT227 | Einzelheiten |
