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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › VS-GB300TH120U
VS-GB300TH120U

VS-GB300TH120U - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer
VS-GB300TH120U
Hersteller
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 530A 2119W INT-A-PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
VS-GB300TH120U PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
47 pcs
Referenzpreis
USD 574.8442/pcs
Unser Preis
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VS-GB300TH120U detaillierte Beschreibung

Artikelnummer VS-GB300TH120U
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 530A
Leistung max 2119W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 300A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 25.3nF @ 30V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Double INT-A-PAK (3 + 4)
Lieferantengerätepaket Double INT-A-PAK
Gewicht -
Ursprungsland -

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