VS-GB300NH120N - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer	VS-GB300NH120N
Teilstatus	Active
IGBT-Typ	-
Aufbau	Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	500A
Leistung max	1645W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic	2.45V @ 15V, 300A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)	5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce	21.2nF @ 25V
Eingang	Standard
NTC-Thermistor	No
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Paket / Fall	Double INT-A-PAK (3 + 4)
Lieferantengerätepaket	Double INT-A-PAK
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
VS-GB05XP120KTPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	MODULE MTP SWITCH	Einzelheiten
VS-GB100DA60UP	Vishay Semiconductor Diodes Division	MODULE IGBT SOT-227	Einzelheiten
VS-GB100LH120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK	Einzelheiten
VS-GB100LP120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK	Einzelheiten
VS-GB100NH120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK	Einzelheiten
VS-GB100TH120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK	Einzelheiten
VS-GB100TH120U	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK	Einzelheiten
VS-GB100TP120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK	Einzelheiten
VS-GB100TP120U	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 150A 735W INT-A-PAK	Einzelheiten
VS-GB100TS60NPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 108A 390W INT-A-PAK	Einzelheiten