VS-GB200LH120N

VS-GB200LH120N - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer
VS-GB200LH120N
Hersteller
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 370A 1562W INT-A-PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
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Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
76 pcs
Referenzpreis
USD 353.885/pcs
Unser Preis
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VS-GB200LH120N detaillierte Beschreibung

Artikelnummer VS-GB200LH120N
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 370A
Leistung max 1562W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.07V @ 15V, 200A (Typ)
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 18nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Double INT-A-PAK (3 + 4)
Lieferantengerätepaket Double INT-A-PAK
Gewicht -
Ursprungsland -

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