SQD25N06-22L_T4GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SQD25N06-22L_T4GE3
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1975pF @ 25V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	62W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-252AA
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SQD25N06-22L_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 25A TO252	Einzelheiten
SQD25N06-22L_T4GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 25A TO252AA	Einzelheiten
SQD25N15-52_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 150V 25A TO252	Einzelheiten