SQD25N15-52_GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SQD25N15-52_GE3
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	150V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	25A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	51nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2200pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	107W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	52 mOhm @ 15A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-252, (D-Pak)
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SQD25N06-22L_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 25A TO252	Einzelheiten
SQD25N06-22L_T4GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 25A TO252AA	Einzelheiten
SQD25N15-52_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 150V 25A TO252	Einzelheiten