SQD25N06-22L_T4GE3 - Vishay Siliconix

номер части	SQD25N06-22L_T4GE3
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	50nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1975pF @ 25V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	62W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-252AA
Упаковка / чехол	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SQD25N06-22L_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 25A TO252	подробности
SQD25N06-22L_T4GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 25A TO252AA	подробности
SQD25N15-52_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 150V 25A TO252	подробности