SQD25N06-22L_T4GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article	SQD25N06-22L_T4GE3
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1975pF @ 25V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	62W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-252AA
Paquet / cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
SQD25N06-22L_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 25A TO252	Détails
SQD25N06-22L_T4GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 25A TO252AA	Détails
SQD25N15-52_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 150V 25A TO252	Détails