SI7322ADN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SI7322ADN-T1-GE3
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	15.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	57 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	360pF @ 50V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	26W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PowerPAK® 1212-8
Paket / Fall	PowerPAK® 1212-8
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SI7322ADN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 15.1A 1212-8	Einzelheiten
SI7322DN-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8	Einzelheiten
SI7322DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8	Einzelheiten