SI7322ADN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte	SI7322ADN-T1-GE3
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	15.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	57 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	360pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	26W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® 1212-8
Pacchetto / caso	PowerPAK® 1212-8
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SI7322ADN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 15.1A 1212-8	Dettagli
SI7322DN-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8	Dettagli
SI7322DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8	Dettagli