SI7322ADN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article	SI7322ADN-T1-GE3
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	15.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	57 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	360pF @ 50V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	26W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PowerPAK® 1212-8
Paquet / cas	PowerPAK® 1212-8
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
SI7322ADN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 15.1A 1212-8	Détails
SI7322DN-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8	Détails
SI7322DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8	Détails