SI7322DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SI7322DN-T1-GE3
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	18A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	750pF @ 50V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	58 mOhm @ 5.5A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PowerPAK® 1212-8
Paket / Fall	PowerPAK® 1212-8
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
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