SI3588DV-T1-GE3 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
SI3588DV-T1-GE3 |
Teilstatus |
Obsolete |
FET Typ |
N and P-Channel |
FET-Eigenschaft |
Logic Level Gate |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
20V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
2.5A, 570mA |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
80 mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
450mV @ 250µA (Min) |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
7.5nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
- |
Leistung max |
830mW, 83mW |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Lieferantengerätepaket |
6-TSOP |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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