SI3588DV-T1-GE3

SI3588DV-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer
SI3588DV-T1-GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4145 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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SI3588DV-T1-GE3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SI3588DV-T1-GE3
Teilstatus Obsolete
FET Typ N and P-Channel
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 2.5A, 570mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Leistung max 830mW, 83mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Lieferantengerätepaket 6-TSOP
Gewicht -
Ursprungsland -

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