| Artikelnummer | SI3586DV-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N and P-Channel |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.9A, 2.1A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung max | 830mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Lieferantengerätepaket | 6-TSOP |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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SI3585CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP | Einzelheiten |
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