| Artikelnummer | SI3585DV-T1-E3 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N and P-Channel |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2A, 1.5A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung max | 830mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Lieferantengerätepaket | 6-TSOP |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
SI3585CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP | Einzelheiten |
 |
SI3585DV | VIS | SI3585DV VIS SOT-26 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
SI3585DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP | Einzelheiten |
|
SI3585DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP | Einzelheiten |
|
SI3586DV | VIS | SI3586DV VIS SOT-26 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
SI3586DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP | Einzelheiten |
|
SI3586DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP | Einzelheiten |
|
SI3586DV_08 | VISHAY | N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | Einzelheiten |
|
SI3588DV | VIS | SI3588DV VIS SOT-26 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
SI3588DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP | Einzelheiten |
