| 부품 번호 | SI3588DV-T1-GE3 |
|---|---|
| 부품 상태 | Obsolete |
| FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.5A, 570mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 전력 - 최대 | 830mW, 83mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 공급 업체 장치 패키지 | 6-TSOP |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
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SI3585CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP | 세부 |
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SI3585DV | VIS | SI3585DV VIS SOT-26 New Original Stocks | 세부 |
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SI3585DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP | 세부 |
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SI3585DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP | 세부 |
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SI3586DV | VIS | SI3586DV VIS SOT-26 New Original Stocks | 세부 |
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SI3586DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP | 세부 |
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SI3586DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP | 세부 |
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SI3586DV_08 | VISHAY | N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | 세부 |
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SI3588DV | VIS | SI3588DV VIS SOT-26 New Original Stocks | 세부 |
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SI3588DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP | 세부 |
