BAS20-E3-08 - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer	BAS20-E3-08
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	150V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	200mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1.25V @ 200mA
Geschwindigkeit	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	50ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	100nA @ 150V
Kapazität @ Vr, F	5pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket	SOT-23
Betriebstemperatur - Kreuzung	-55°C ~ 150°C
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
BAS20	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GP 200V 200MA SOT23-3	Einzelheiten
BAS20 RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23	Einzelheiten
BAS20,215	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23	Einzelheiten
BAS20,235	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23	Einzelheiten
BAS20-7	Diodes Incorporated	DIODE GP 150V 200MA SOT23-3	Einzelheiten
BAS20-7-99-F	DIODESINCORPORATED	BAS20-7-99-F DIODESINCORPORATED SOT 23 New Original Stocks	Einzelheiten
BAS20-7-F	Diodes Incorporated	DIODE GP 150V 200MA SOT23-3	Einzelheiten
BAS20-E3-08	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23	Einzelheiten
BAS20-E3-18	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23	Einzelheiten
BAS20-G3-08	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23	Einzelheiten