| Artikelnummer | BAS20-E3-18 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 200mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 50ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100nA @ 150V |
| Kapazität @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23 |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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BAS20 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GP 200V 200MA SOT23-3 | Einzelheiten |
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BAS20 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | Einzelheiten |
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BAS20,215 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | Einzelheiten |
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BAS20,235 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | Einzelheiten |
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BAS20-7 | Diodes Incorporated | DIODE GP 150V 200MA SOT23-3 | Einzelheiten |
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BAS20-7-99-F | DIODESINCORPORATED | BAS20-7-99-F DIODESINCORPORATED SOT 23 New Original Stocks | Einzelheiten |
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BAS20-7-F | Diodes Incorporated | DIODE GP 150V 200MA SOT23-3 | Einzelheiten |
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BAS20-E3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | Einzelheiten |
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BAS20-E3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | Einzelheiten |
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BAS20-G3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | Einzelheiten |
