BAS20-E3-08 - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	BAS20-E3-08
État de la pièce	Active
Type de diode	Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	150V
Courant - Rectifié moyen (Io)	200mA
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.25V @ 200mA
La vitesse	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Temps de récupération inverse (trr)	50ns
Courant - Fuite inverse @ Vr	100nA @ 150V
Capacitance @ Vr, F	5pF @ 0V, 1MHz
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package de périphérique fournisseur	SOT-23
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 150°C
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
BAS20	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GP 200V 200MA SOT23-3	Détails
BAS20 RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23	Détails
BAS20,215	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23	Détails
BAS20,235	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23	Détails
BAS20-7	Diodes Incorporated	DIODE GP 150V 200MA SOT23-3	Détails
BAS20-7-99-F	DIODESINCORPORATED	BAS20-7-99-F DIODESINCORPORATED SOT 23 New Original Stocks	Détails
BAS20-7-F	Diodes Incorporated	DIODE GP 150V 200MA SOT23-3	Détails
BAS20-E3-08	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23	Détails
BAS20-E3-18	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23	Détails
BAS20-G3-08	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23	Détails