SSM6N15AFE,LM

SSM6N15AFE,LM - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
SSM6N15AFE,LM
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
353650 pcs
Referenzpreis
USD 0.0726/pcs
Unser Preis
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SSM6N15AFE,LM detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SSM6N15AFE,LM
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 100mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 4 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7.8pF @ 3V
Leistung max 150mW
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket ES6 (1.6x1.6)
Gewicht -
Ursprungsland -

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