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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays › SSM6N16FUTE85LF
SSM6N16FUTE85LF

SSM6N16FUTE85LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
SSM6N16FUTE85LF
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
SSM6N16FUTE85LF PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4403 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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SSM6N16FUTE85LF detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SSM6N16FUTE85LF
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 100mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 100µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9.3pF @ 3V
Leistung max 200mW
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket US6
Gewicht -
Ursprungsland -

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