SSM6N16FUTE85LF

SSM6N16FUTE85LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
SSM6N16FUTE85LF
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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4365 pcs
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SSM6N16FUTE85LF Descrizione dettagliata

Numero di parte SSM6N16FUTE85LF
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9.3pF @ 3V
Potenza - Max 200mW
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore US6
Peso -
Paese d'origine -

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