SSM6N15AFE,LM

SSM6N15AFE,LM - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza
SSM6N15AFE,LM
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
355371 pcs
Precio de referencia
USD 0.0726/pcs
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SSM6N15AFE,LM Descripción detallada

Número de pieza SSM6N15AFE,LM
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7.8pF @ 3V
Potencia - Max 150mW
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivo del proveedor ES6 (1.6x1.6)
Peso -
País de origen -

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