SSM6N15AFE,LM

SSM6N15AFE,LM - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
SSM6N15AFE,LM
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
356163 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.0726/pcs
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SSM6N15AFE,LM Description détaillée

Numéro d'article SSM6N15AFE,LM
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7.8pF @ 3V
Puissance - Max 150mW
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur ES6 (1.6x1.6)
Poids -
Pays d'origine -

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