TC58BYG2S0HBAI4

TC58BYG2S0HBAI4 - Toshiba Memory America, Inc.

Artikelnummer
TC58BYG2S0HBAI4
Hersteller
Toshiba Memory America, Inc.
Kurze Beschreibung
4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
TC58BYG2S0HBAI4 PDF-Online-Browsing
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Kategorie
Speicher
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
34280 pcs
Referenzpreis
USD 5.34/pcs
Unser Preis
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TC58BYG2S0HBAI4 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TC58BYG2S0HBAI4
Teilstatus Active
Speichertyp Non-Volatile
Speicherformat FLASH
Technologie FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße 4G (512M x 8)
Taktfrequenz -
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 25ns
Zugriffszeit 25ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 63-VFBGA
Lieferantengerätepaket 63-TFBGA (9x11)
Gewicht -
Ursprungsland -

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