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Zuhause › Produktkategorien › Integrierte Schaltungen (ICs) › Speicher › TC58BVG0S3HBAI6
TC58BVG0S3HBAI6

TC58BVG0S3HBAI6 - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
TC58BVG0S3HBAI6
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
IC EEPROM 1GBIT 25NS 67VFBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
TC58BVG0S3HBAI6 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Speicher
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
140 pcs
Referenzpreis
USD 2.32/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern TC58BVG0S3HBAI6

TC58BVG0S3HBAI6 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TC58BVG0S3HBAI6
Teilstatus Active
Speichertyp Non-Volatile
Speicherformat EEPROM
Technologie EEPROM - NAND
Speichergröße 1Gb (128M x 8)
Taktfrequenz -
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 25ns
Zugriffszeit 25ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 2.7 V ~ 3.6 V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 67-VFBGA
Lieferantengerätepaket 67-VFBGA (6.5x8)
Gewicht -
Ursprungsland -

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