TC58BVG0S3HBAI6 - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	TC58BVG0S3HBAI6
Статус детали	Active
Тип памяти	Non-Volatile
Формат памяти	EEPROM
Технологии	EEPROM - NAND
Размер памяти	1Gb (128M x 8)
Частота часов	-
Время цикла записи - слово, страница	25ns
Время доступа	25ns
Интерфейс памяти	Parallel
Напряжение - Поставка	2.7 V ~ 3.6 V
Рабочая Температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	67-VFBGA
Пакет устройств поставщика	67-VFBGA (6.5x8)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
TC58BVG0S3HBAI4	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 1GBIT 25NS 63FBGA	подробности
TC58BVG0S3HBAI6	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 1GBIT 25NS 67VFBGA	подробности
TC58BVG0S3HTA00	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 1GBIT 25NS 48TSOP	подробности
TC58BVG0S3HTAI0	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 1GBIT 25NS 48TSOP	подробности
TC58BVG1S3HBAI4	Toshiba Memory America, Inc.	2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE	подробности
TC58BVG1S3HBAI6	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 2GBIT 25NS 67VFBGA	подробности
TC58BVG1S3HTA00	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 2GBIT 25NS 48TSOP	подробности
TC58BVG1S3HTAI0	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 2GBIT 25NS 48TSOP	подробности
TC58BVG2S0HBAI4	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 4GBIT 25NS 63FBGA	подробности
TC58BVG2S0HTA00	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP	подробности