TC58BYG2S0HBAI4 - Toshiba Memory America, Inc.

Número de pieza: TC58BYG2S0HBAI4
Fabricante: Toshiba Memory America, Inc.
Breve descripción: 4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Memoria
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 34280 pcs
Precio de referencia: USD 5.34/pcs
Nuestro precio: Enviar por correo electrónico: [email protected]

Número de pieza	TC58BYG2S0HBAI4
Estado de la pieza	Active
Tipo de memoria	Non-Volatile
Formato de memoria	FLASH
Tecnología	FLASH - NAND (SLC)
Tamaño de la memoria	4G (512M x 8)
Frecuencia de reloj	-
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página	25ns
Tiempo de acceso	25ns
interfaz de memoria	Parallel
Suministro de voltaje	1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	63-VFBGA
Paquete de dispositivo del proveedor	63-TFBGA (9x11)
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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