TC58BYG2S0HBAI4

TC58BYG2S0HBAI4 - Toshiba Memory America, Inc.

Numéro d'article
TC58BYG2S0HBAI4
Fabricant
Toshiba Memory America, Inc.
Brève description
4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
TC58BYG2S0HBAI4 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Mémoire
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
34280 pcs
Prix ​​de référence
USD 5.34/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour TC58BYG2S0HBAI4

TC58BYG2S0HBAI4 Description détaillée

Numéro d'article TC58BYG2S0HBAI4
État de la pièce Active
Type de mémoire Non-Volatile
Format de la mémoire FLASH
La technologie FLASH - NAND (SLC)
Taille mémoire 4G (512M x 8)
Fréquence d'horloge -
Écrire un temps de cycle - Word, Page 25ns
Temps d'accès 25ns
Interface de mémoire Parallel
Tension - Alimentation 1.7V ~ 1.95V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 63-VFBGA
Package de périphérique fournisseur 63-TFBGA (9x11)
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR TC58BYG2S0HBAI4