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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln › RJP65T54DPM-E0#T2
RJP65T54DPM-E0#T2

RJP65T54DPM-E0#T2 - Renesas Electronics America

Artikelnummer
RJP65T54DPM-E0#T2
Hersteller
Renesas Electronics America
Kurze Beschreibung
IGBT TRENCH TO-3FP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
RJP65T54DPM-E0#T2 PDF-Online-Browsing
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-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
54977 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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RJP65T54DPM-E0#T2 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer RJP65T54DPM-E0#T2
Teilstatus Last Time Buy
Transistor-Typ -
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) -
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic -
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce -
Leistung max -
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur -
Befestigungsart -
Paket / Fall -
Lieferantengerätepaket -
Gewicht -
Ursprungsland -

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