RJP65T54DPM-A0#T2 - Renesas Electronics America

Artikelnummer	RJP65T54DPM-A0#T2
Teilstatus	Active
IGBT-Typ	Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	60A
Strom - Kollektorimpuls (Icm)	-
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic	1.68V @ 15V, 30A
Leistung max	63.5W
Energie wechseln	330µJ (on), 760µJ (off)
Eingabetyp	Standard
Gate Ladung	72nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C	35ns/120ns
Testbedingung	400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	-
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	SC-94
Lieferantengerätepaket	TO-3PFP
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
RJP65T43DPQ-A0#T2	Renesas Electronics America	IGBT TRENCH 650V 60A TO247A	Einzelheiten
RJP65T54DPM-A0#T2	Renesas Electronics America	IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP	Einzelheiten
RJP65T54DPM-E0#T2	Renesas Electronics America	IGBT TRENCH TO-3FP	Einzelheiten