• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные › RJP65T54DPM-E0#T2
RJP65T54DPM-E0#T2

RJP65T54DPM-E0#T2 - Renesas Electronics America

номер части
RJP65T54DPM-E0#T2
производитель
Renesas Electronics America
Краткое описание
IGBT TRENCH TO-3FP
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
RJP65T54DPM-E0#T2 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
54977 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку RJP65T54DPM-E0#T2

RJP65T54DPM-E0#T2 Подробное описание

номер части RJP65T54DPM-E0#T2
Статус детали Last Time Buy
Тип транзистора -
Ток - коллектор (Ic) (макс.) -
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) -
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic -
Ток - отсечка коллектора (макс.) -
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce -
Мощность - макс. -
Частота - переход -
Рабочая Температура -
Тип монтажа -
Упаковка / чехол -
Пакет устройств поставщика -
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ RJP65T54DPM-E0#T2

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
RJP65T43DPQ-A0#T2 RJP65T43DPQ-A0#T2 Renesas Electronics America IGBT TRENCH 650V 60A TO247A подробности
RJP65T54DPM-A0#T2 RJP65T54DPM-A0#T2 Renesas Electronics America IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP подробности
RJP65T54DPM-E0#T2 RJP65T54DPM-E0#T2 Renesas Electronics America IGBT TRENCH TO-3FP подробности