• France
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples › RJP65T54DPM-E0#T2
RJP65T54DPM-E0#T2

RJP65T54DPM-E0#T2 - Renesas Electronics America

Numéro d'article
RJP65T54DPM-E0#T2
Fabricant
Renesas Electronics America
Brève description
IGBT TRENCH TO-3FP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
RJP65T54DPM-E0#T2 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
54977 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour RJP65T54DPM-E0#T2

RJP65T54DPM-E0#T2 Description détaillée

Numéro d'article RJP65T54DPM-E0#T2
État de la pièce Last Time Buy
Type de transistor -
Courant - Collecteur (Ic) (Max) -
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) -
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic -
Courant - Coupure du collecteur (Max) -
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce -
Puissance - Max -
Fréquence - Transition -
Température de fonctionnement -
Type de montage -
Paquet / cas -
Package de périphérique fournisseur -
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR RJP65T54DPM-E0#T2

Image Numéro d'article Les fabricants La description Vue
RJP65T43DPQ-A0#T2 RJP65T43DPQ-A0#T2 Renesas Electronics America IGBT TRENCH 650V 60A TO247A Détails
RJP65T54DPM-A0#T2 RJP65T54DPM-A0#T2 Renesas Electronics America IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP Détails
RJP65T54DPM-E0#T2 RJP65T54DPM-E0#T2 Renesas Electronics America IGBT TRENCH TO-3FP Détails