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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › APTGT50SK170T1G
APTGT50SK170T1G

APTGT50SK170T1G - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APTGT50SK170T1G
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
IGBT 1700V 75A 312W SP1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APTGT50SK170T1G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
45 pcs
Referenzpreis
USD 54.86/pcs
Unser Preis
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APTGT50SK170T1G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APTGT50SK170T1G
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1700V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 75A
Leistung max 312W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 4.4nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SP1
Lieferantengerätepaket SP1
Gewicht -
Ursprungsland -

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