APTGT50SK170T1G

APTGT50SK170T1G - Microsemi Corporation

Numéro d'article
APTGT50SK170T1G
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
IGBT 1700V 75A 312W SP1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
45 pcs
Prix ​​de référence
USD 54.86/pcs
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APTGT50SK170T1G Description détaillée

Numéro d'article APTGT50SK170T1G
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Single
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1700V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 75A
Puissance - Max 312W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 250µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 4.4nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP1
Package de périphérique fournisseur SP1
Poids -
Pays d'origine -

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