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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › APTGT50DH60T1G
APTGT50DH60T1G

APTGT50DH60T1G - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APTGT50DH60T1G
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
MOD IGBT 600V 80A SP1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APTGT50DH60T1G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
790 pcs
Referenzpreis
USD 32.6591/pcs
Unser Preis
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APTGT50DH60T1G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APTGT50DH60T1G
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Asymmetrical Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 80A
Leistung max 176W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.15nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SP1
Lieferantengerätepaket SP1
Gewicht -
Ursprungsland -

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