| Artikelnummer | APT75GN60BG |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 600V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 155A |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 225A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 75A |
| Leistung max | 536W |
| Energie wechseln | 2500µJ (on), 2140µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | 485nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 47ns/385ns |
| Testbedingung | 400V, 75A, 1 Ohm, 15V |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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APT70GR120B2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | Einzelheiten |
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APT70GR120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Einzelheiten |
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APT70GR120JD60 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Einzelheiten |
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APT70GR120L | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | Einzelheiten |
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APT70GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | Einzelheiten |
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APT70GR65B2DU40 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Einzelheiten |
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APT70GR65B2SCD30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Einzelheiten |
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APT70SM70B | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | Einzelheiten |
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APT70SM70J | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | Einzelheiten |
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APT70SM70S | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | Einzelheiten |
