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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › APT75GN120LG
APT75GN120LG

APT75GN120LG - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APT75GN120LG
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 200A 833W TO264
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APT75GN120LG PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1405 pcs
Referenzpreis
USD 17.37/pcs
Unser Preis
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APT75GN120LG detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APT75GN120LG
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 200A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 225A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A
Leistung max 833W
Energie wechseln 8620µJ (on), 11400µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 425nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 60ns/620ns
Testbedingung 800V, 75A, 1 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA
Lieferantengerätepaket TO-264 [L]
Gewicht -
Ursprungsland -

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