| Artikelnummer | APT50GN120L2DQ2G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | NPT, Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 134A |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 150A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Leistung max | 543W |
| Energie wechseln | 4495µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | 315nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 28ns/320ns |
| Testbedingung | 800V, 50A, 2.2 Ohm, 15V |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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APT50GF120B2RG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 135A 781W TMAX | Einzelheiten |
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APT50GF120JRDQ3 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 120A 521W SOT227 | Einzelheiten |
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APT50GF120LRG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 135A 781W TO264 | Einzelheiten |
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APT50GF60JCU2 | Microsemi Corporation | MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227 | Einzelheiten |
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APT50GF60JU2 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 75A 277W SOT227 | Einzelheiten |
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APT50GF60JU3 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 75A 277W SOT227 | Einzelheiten |
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APT50GLQ65JU2 | Microsemi Corporation | POWER MODULE - IGBT | Einzelheiten |
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APT50GN120B2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 134A 543W TO-247 | Einzelheiten |
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APT50GN120L2DQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 134A 543W TO264 | Einzelheiten |
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APT50GN60BDQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 107A 366W TO247 | Einzelheiten |
