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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › APT50GF120B2RG
APT50GF120B2RG

APT50GF120B2RG - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APT50GF120B2RG
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 135A 781W TMAX
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APT50GF120B2RG PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
17 pcs
Referenzpreis
USD 22.57/pcs
Unser Preis
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APT50GF120B2RG detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APT50GF120B2RG
Teilstatus Active
IGBT-Typ NPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 135A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 150A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 50A
Leistung max 781W
Energie wechseln 3.6mJ (on), 2.64mJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 340nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 25ns/260ns
Testbedingung 800V, 50A, 1 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3 Variant
Lieferantengerätepaket -
Gewicht -
Ursprungsland -

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