| Numero di parte | APT50GN120L2DQ2G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | NPT, Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 134A |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 150A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Potenza - Max | 543W |
| Cambiare energia | 4495µJ (off) |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | 315nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 28ns/320ns |
| Condizione di test | 800V, 50A, 2.2 Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-264-3, TO-264AA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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APT50GF120B2RG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 135A 781W TMAX | Dettagli |
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APT50GF120JRDQ3 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 120A 521W SOT227 | Dettagli |
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APT50GF120LRG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 135A 781W TO264 | Dettagli |
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APT50GF60JCU2 | Microsemi Corporation | MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227 | Dettagli |
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APT50GF60JU2 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 75A 277W SOT227 | Dettagli |
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APT50GF60JU3 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 75A 277W SOT227 | Dettagli |
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APT50GLQ65JU2 | Microsemi Corporation | POWER MODULE - IGBT | Dettagli |
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APT50GN120B2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 134A 543W TO-247 | Dettagli |
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APT50GN120L2DQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 134A 543W TO264 | Dettagli |
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APT50GN60BDQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 107A 366W TO247 | Dettagli |
