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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › APT35GT120JU3
APT35GT120JU3

APT35GT120JU3 - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APT35GT120JU3
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 55A 260W SOT227
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APT35GT120JU3 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1322 pcs
Referenzpreis
USD 19.7582/pcs
Unser Preis
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APT35GT120JU3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APT35GT120JU3
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 55A
Leistung max 260W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 35A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 2.53nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall ISOTOP
Lieferantengerätepaket SOT-227
Gewicht -
Ursprungsland -

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