| Numéro d'article | APT35GT120JU3 |
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| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | Trench Field Stop |
| Configuration | Single |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 55A |
| Puissance - Max | 260W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 35A |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 5mA |
| Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 2.53nF @ 25V |
| Contribution | Standard |
| Thermistance NTC | No |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | ISOTOP |
| Package de périphérique fournisseur | SOT-227 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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APT35DL120HJ | Microsemi Corporation | DIODE MODULE 1.2KV SOT227 | Détails |
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APT35GA90B | Microsemi Corporation | IGBT 900V 63A 290W TO-247 | Détails |
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APT35GA90BD15 | Microsemi Corporation | IGBT 900V 63A 290W TO247 | Détails |
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APT35GN120BG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 94A 379W TO247 | Détails |
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APT35GN120L2DQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 94A 379W TO264 | Détails |
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APT35GP120B2DQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 96A 543W TMAX | Détails |
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APT35GP120BG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 96A 543W TO247 | Détails |
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APT35GP120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 284W SOT227 | Détails |
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APT35GP120JDQ2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 284W SOT227 | Détails |
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APT35GT120JU2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 35A 260W SOT-227 | Détails |
