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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › APT100GT120JR
APT100GT120JR

APT100GT120JR - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APT100GT120JR
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 123A 570W SOT227
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APT100GT120JR PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
619 pcs
Referenzpreis
USD 43.06/pcs
Unser Preis
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APT100GT120JR detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APT100GT120JR
Teilstatus Active
IGBT-Typ NPT
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 123A
Leistung max 570W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 100A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6.7nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC
Lieferantengerätepaket ISOTOP®
Gewicht -
Ursprungsland -

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