APT100GT120JR - Microsemi Corporation

Número de pieza: APT100GT120JR
Fabricante: Microsemi Corporation
Breve descripción: IGBT 1200V 123A 570W SOT227
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - IGBT - Módulos
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Precio de referencia: USD 43.06/pcs
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Número de pieza	APT100GT120JR
Estado de la pieza	Active
Tipo de IGBT	NPT
Configuración	Single
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	1200V
Current - Collector (Ic) (Max)	123A
Potencia - Max	570W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	3.7V @ 15V, 100A
Corriente - corte de colector (máximo)	100µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce	6.7nF @ 25V
Entrada	Standard
Termistor NTC	No
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete / caja	SOT-227-4, miniBLOC
Paquete de dispositivo del proveedor	ISOTOP®
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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