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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › MMIX1G320N60B3
MMIX1G320N60B3

MMIX1G320N60B3 - IXYS

Artikelnummer
MMIX1G320N60B3
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
MMIX1G320N60B3 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4387 pcs
Referenzpreis
USD 37.5065/pcs
Unser Preis
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Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern MMIX1G320N60B3

MMIX1G320N60B3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer MMIX1G320N60B3
Teilstatus Active
IGBT-Typ PT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 400A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 1000A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 100A
Leistung max 1000W
Energie wechseln 2.7mJ (on), 5mJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 585nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 44ns/250ns
Testbedingung 480V, 100A, 1 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 66ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 24-PowerSMD, 21 Leads
Lieferantengerätepaket 24-SMPD
Gewicht -
Ursprungsland -

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