MMIX1G320N60B3 - IXYS

Numéro d'article	MMIX1G320N60B3
État de la pièce	Active
Type d'IGBT	PT
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	400A
Courant - Collecteur pulsé (Icm)	1000A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	1.5V @ 15V, 100A
Puissance - Max	1000W
Échange d'énergie	2.7mJ (on), 5mJ (off)
Type d'entrée	Standard
Charge de porte	585nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C	44ns/250ns
Condition de test	480V, 100A, 1 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)	66ns
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	24-PowerSMD, 21 Leads
Package de périphérique fournisseur	24-SMPD
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
MMIX1F132N50P3	IXYS	MOSFET N-CH 500V 63A SMPD	Détails
MMIX1F160N30T	IXYS	MOSFET N-CH 300V 102A SMPD	Détails
MMIX1F180N25T	IXYS	MOSFET N-CH 250V 130A SMPD	Détails
MMIX1F210N30P3	IXYS	MOSFET N-CH 300V 108A MMIX	Détails
MMIX1F230N20T	IXYS	MOSFET N-CH 200V 168A SMPD	Détails
MMIX1F360N15T2	IXYS	MOSFET N-CH 150V 235A	Détails
MMIX1F40N110P	IXYS	MOSFET N-CH 1100V 24A SMPD	Détails
MMIX1F420N10T	IXYS	MOSFET N-CH 100V 334A SMPD	Détails
MMIX1F44N100Q3	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 30A	Détails
MMIX1F520N075T2	IXYS	MOSFET N-CH 75V 500A	Détails